Vertically stacked carbon nanotube-based interconnects for through silicon via application
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2015
Stacking of silicon chips with carbon nanotube (CNT)-based through-silicon vias (TSVs) is experimentally demonstrated. Polymer filling is used to improve the transfer quality of CNTs into pre-etched silicon holes. Special hexagonal CNTs are designed to achieve high aspect ratio (10:1) CNT vias. TSVs filled with closely packed CNTs show a highly linear dc I - V response. The proposed process works at room temperature, which makes it compatible with existing device fabrication flow.
Carbon nanotube (CNT)
interconnect
through-silicon via (TSV)
3D stacking
transfer
densification
Författare
Di Jiang
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Elektronikmaterial och system
Wei Mu
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Elektronikmaterial och system
Si Chen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Elektronikmaterial och system
Yifeng Fu
SHT Smart High Tech AB
Kjell Jeppson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Elektronikmaterial och system
Johan Liu
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Elektronikmaterial och system
IEEE Electron Device Letters
0741-3106 (ISSN)
Vol. 36 5 499-501Carbon Based Smart Systems for Wireless Applications (NANO RF)
Europeiska kommissionen (FP7) (EC/FP7/318352), 2012-09-01 -- 2015-08-31.
Styrkeområden
Nanovetenskap och nanoteknik
Produktion
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Elektroteknik och elektronik
Nanoteknik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.1109/LED.2015.2415198