Monolithically Integrated 200-GHz Double-Slot Antenna and Resistive Mixers in a GaAs-mHEMT MMIC Process
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2011
GaAs
metamorphic HEMT (mHEMT)
monolithic microwave integrated circuit (MMIC)
system gain
double-slot antenna
resistive mixer
N-times
noise figure (NF)
Conversion loss
G-band
Författare
Yu Yan
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Yogesh Karandikar
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Sten Gunnarsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Bahar M. Motlagh
Chalmers University of Technology
Serguei Cherednichenko
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Ingmar Kallfass
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik - IAF
Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Arnulf Leuther
Karlsruher Institut für Technologie (KIT)
Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik - IAF
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
0018-9480 (ISSN)
Vol. 59 10 2494-2503Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/TMTT.2011.2161326