An SiC MESFET-based MMIC process
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2006
A monolithic microwave integrated circuit (MMIC)process based on an in-house SiC MESFET technology has been developed. The process uses microstrip technology, and a complete set of passive components, including MIMcapacitors, spiral inductors,thin-film resistors, and via-holes, has been developed. The potential of the process is demonstrated by an 8-W power amplifier
at 3 GHz, a high-linearity -band mixer showing a third-order intercept point of 38 dBm, and a high-power limiter.
Författare
Mattias Sudow
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Kristoffer Andersson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Niklas Billström
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Hans Hjelmgren
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Johan Ståhl
Herbert Zirath
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
Vol. 54 12, Part 1 4072-4078
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Annan elektroteknik och elektronik