Characterization of the temperature dependent access resistances in AlGaN/GaN HEMTs
Paper i proceeding, 2008
The temperature dependence of the access resistances for AlGaN/GaN HEMTs is investigated. The self-heating is measured using infrared microscopy and the access resistances are extracted at different ambient temperatures. Their influence on the intrinsic small signal parameters is studied versus bias and ambient temperature.
Modelling
Thermal
Small signal
GaN
HEMT
Författare
Mattias Thorsell
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
GigaHertz Centrum
Kristoffer Andersson
GigaHertz Centrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Martin Fagerlind
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Mattias Sudow
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Per-Åke Nilsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Niklas Rorsman
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Mikrovågselektronik
Workshop on Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-Wave Circuits, 2008. INMMIC 2008.
17-20
978-1-4244-2645-4 (ISBN)
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Annan elektroteknik och elektronik
DOI
10.1109/INMMIC.2008.4745703
ISBN
978-1-4244-2645-4