DC and RF performance of 0.2-0.4µm gate length InAs/AlSb HEMTs
Paper i proceeding, 2007
Författare
Malin Borg
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Eric Lefebvre
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Mikael Malmkvist
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Ludovic Desplanque
Xavier Wallart
Yannick Roelens
Gilles Dambrine
Alain Cappy
Sylvain Bollaert
Jan Grahn
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2)
Proc. 19th Indium Phosphide and Related Materials
pp. 67-70
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Annan elektroteknik och elektronik