1060 nm VCSEL for up to 40 Gbit/s Data Transmission
Paper i proceeding, 2016
A GaAs-based 1060 nm VCSEL with strained InGaAs/GaAsP QWs, doped DBRs, a short optical cavity, and multiple oxide apertures is presented. Modulation up to 40 Gbit/s at 25°C and 30 Gbit/s at 85°C is demonstrated.
Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)
optical interconnects
Författare
Ewa Simpanen
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik
Johan Gustavsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik
Erik Haglund
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik
Emanuel Haglund
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik
Anders Larsson
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Fotonik
W. V. Sorin
Chalmers University of Technology
S. Mathai
Chalmers University of Technology
Michael Tan
Chalmers University of Technology
Conference Digest - IEEE International Semiconductor Laser Conference
08999406 (ISSN)
Article no 7765757- 7765757978-4-8855-2306-9 (ISBN)
Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Nanovetenskap och nanoteknik
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Telekommunikation
Kommunikationssystem
Nanoteknik
Den kondenserade materiens fysik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
ISBN
978-4-8855-2306-9