Analytical Extraction of a Schottky Diode Model from Broadband S-parameters
Artikel i vetenskaplig tidskrift, 2013
We present an analytic method to extract Schottky diode parasitic model parameters. All the ten unknown model parameters are extracted via a straightforward step-by-step procedure. The challenges for a proper finger inductance and series resistance extraction are discussed and solutions are recommended. The proposed method is evaluated using three sets of S-parameter data for GaAs-based planar Schottky diodes, i.e., data from measurement up to 110 GHz and 3-D electromagnetic full-wave simulations up to 600 GHz. The extracted models agree well with the measured and simulated data.
terahertz.
Schottky diodes
multibias
parameter extraction
equivalent circuits
millimeter-wave devices
Analytical model
modeling
scattering parameters
Författare
Aik-Yean Tang
GigaHertz Centrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Vladimir Drakinskiy
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
GigaHertz Centrum
Klas Yhland
GigaHertz Centrum
Jörgen Stenarson
GigaHertz Centrum
Tomas Bryllert
GigaHertz Centrum
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
Jan Stake
Chalmers, Mikroteknologi och nanovetenskap (MC2), Terahertz- och millimetervågsteknik
GigaHertz Centrum
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
0018-9480 (ISSN)
Vol. 61 5 1870-1878Styrkeområden
Informations- och kommunikationsteknik
Ämneskategorier (SSIF 2011)
Elektroteknik och elektronik
Infrastruktur
Nanotekniklaboratoriet
DOI
10.1109/TMTT.2013.2251655